제품 규정 서
SPECIFICATIONS
딥 자 외 핵심 재 료 · SiC / AlN 외연 편 / 템 플 릿
WAlN-SC001
50~5000 nm，(002) ，(102)
회사 뉴.
Hubei DUVTek Co., LTD.
오 동 호, 오 동 호, 후 베 이 성
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China
| 성능 Properties | 매개 변수 값 Vlue |
|---|---|
| 직경 Diameter | 2 inch (50.8±0.05 μm) |
| 기 판 타 입 Substrate | 6H/4H-SiC <0001>±0.5°, N type, D degree |
| 기 판 두께 Substrate Thickness | 330±25 μm |
| 외연 층 두께 Epilayer Thickness | 50~5000 nm |
| (002) 수정체 질량 Cry stal quality (FWHM of 002 XRC) | |
| (102) 수정체 질량 Cry stal quality (FWHM of 102 xRC) | |
| 정면 거 친 도 Front side roughness | |
| 테두리 공제 Edge exclusion | |
| 균열 관통 Through Crack | undefined |
| a 면 (11 - 20) 취향 Surface orientation of a - plane | |
| m 면 (11 - 20) 취향 Surface orientation of m - plane | |
| 포 지 셔 닝 변 결정 프 라이 머리 플 래 트 오리 엔 테 이 션 으로 | |
| 포 지 셔 닝 변 길이 Primary flat length | |
| 반면 거 친 Back side roughness |