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WAlN - SC 001 규정 서
꼬 릿 말
버 전: 2019 - 09 - 07

회사 뉴.

제품 규정 서
SPECIFICATIONS

딥 자 외 핵심 재 료 · SiC / AlN 외연 편 / 템 플 릿

WAlN-SC001

50~5000 nm,(002) ,(102)

SC001

회사 뉴.

Hubei DUVTek Co., LTD.

오 동 호, 오 동 호, 후 베 이 성
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China

  • 규격 파라미터 Characteristics
  • 성능 Properties 매개 변수 값 Vlue
    직경 Diameter2 inch (50.8±0.05 μm)
    기 판 타 입 Substrate6H/4H-SiC <0001>±0.5°, N type, D degree
    기 판 두께 Substrate Thickness330±25 μm
    외연 층 두께 Epilayer Thickness50~5000 nm
    (002) 수정체 질량 Cry stal quality (FWHM of 002 XRC)
    (102) 수정체 질량 Cry stal quality (FWHM of 102 xRC)
    정면 거 친 도 Front side roughness
    테두리 공제 Edge exclusion
    균열 관통 Through Crackundefined
    a 면 (11 - 20) 취향 Surface orientation of a - plane
    m 면 (11 - 20) 취향 Surface orientation of m - plane
    포 지 셔 닝 변 결정 프 라이 머리 플 래 트 오리 엔 테 이 션 으로
    포 지 셔 닝 변 길이 Primary flat length
    반면 거 친 Back side roughness
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