製品仕様書
SPECIFICATIONS
深紫外コア材料・SiC/AlNエピシート/テンプレート
WAlN-SC001
50~5000 nm,(002) ,(102)
金沙棋牌1991cc
Hubei DUVTek Co., LTD.
湖北省鄂州市梧桐湖新区鳳凰大道9号東湖ハイテク創意城B 08棟
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China
パフォーマンス | パラメータ値Value |
---|---|
直径Diameter | 2 inch (50.8±0.05 μm) |
基板タイプSubstrate | 6H/4H-SiC <0001>±0.5°, N type, D degree |
基板厚さSubstrate Thickness | 330±25 μm |
エピ層の厚さEpilayer Thickness | 50~5000 nm |
(002)結晶品質Crystal quality(FWHM of 002 XRD) | |
(102)結晶品質Crystal quality(FWHM of 102 XRD) | |
正面粗さFront side rougness | |
エッジ控除Edge exclusion | |
クラックスルー | undefined |
a面(11-20)配向Surface orentation of a-plne | |
m面(11-20)配向Surface orentation of m-plne | |
ポジショニングエッジ結晶向けPrimary flat orentation | |
位置決め辺長Primary flat length | |
裏面粗さBack side rougness |