製品仕様書
SPECIFICATIONS
深紫外コア材料・SiC/AlNエピシート/テンプレート
WAlN-SC001
50~5000 nm，(002) ，(102)
金沙棋牌1991cc
Hubei DUVTek Co., LTD.
湖北省鄂州市梧桐湖新区鳳凰大道9号東湖ハイテク創意城B 08棟
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China
| パフォーマンス | パラメータ値Value |
|---|---|
| 直径Diameter | 2 inch (50.8±0.05 μm) |
| 基板タイプSubstrate | 6H/4H-SiC <0001>±0.5°, N type, D degree |
| 基板厚さSubstrate Thickness | 330±25 μm |
| エピ層の厚さEpilayer Thickness | 50~5000 nm |
| （002）結晶品質Crystal quality（FWHM of 002 XRD） | |
| （102）結晶品質Crystal quality（FWHM of 102 XRD） | |
| 正面粗さFront side rougness | |
| エッジ控除Edge exclusion | |
| クラックスルー | undefined |
| a面（11-20）配向Surface orentation of a-plne | |
| m面（11-20）配向Surface orentation of m-plne | |
| ポジショニングエッジ結晶向けPrimary flat orentation | |
| 位置決め辺長Primary flat length | |
| 裏面粗さBack side rougness |